经过12年的攻坚克难，云南锗业研发生产的“零位错”锗晶片、磷化铟晶片、砷化镓晶片等核心产品成功突破国外技术封锁与垄断，在掌握核心关键技术自主可控的基础上实现国产化，目前已经投入应用。

近日，记者探访位于昆明高新区的云南锗业新材料产业基地。锗晶片、砷化镓晶片、磷化铟晶片……云南锗业的企业展示厅里，这些“黑科技”看起来如镜子般闪闪发亮，其应用处于高科技领域的前沿位置。太阳能锗晶片因其高效率、高电压和高温特性好等优点，广泛应用于空间卫星太阳能电池、高空无人侦察机、地面高倍聚光太阳能电站等领域；砷化镓相比硅具有更高的电子迁移率和饱和迁移速度，用砷化镓制成的半导体器件和半绝缘器件有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点；磷化铟晶片具备更高电子迁移速度，适合制造高速、高频低功耗微波、毫米波器件和电路，主要用于生产光通信用激光器和空间探测器。

“虽然这些晶片有着优良的物理特性，但之前很长一段时间我们都依赖进口且晶片的制备技术被国外垄断，要改变这种局面就必须突破‘零位错’控制技术。”云南锗业首席科学家惠峰介绍，半导体单晶在生产过程中，由于外界温度的波动和液面对流的影响，造成晶体中的原子排列不能达到理想状态，造成位错增生、晶体变晶，使产品失效。在与中科院建立合作关系的基础上，云南锗业通过不断研究，从设备的自主研发开始，先后攻克半导体单晶生产过程中温度控制、界面的平整度及稳定性等一个个关键技术，研发出的太阳能锗晶片、砷化镓晶片、磷化铟晶片等产品达到同类产品世界先进、国内领先水平，产品还出口德国、韩国等国家。“十三五”期间，云南锗业累计承担国家863计划、工信部工业强基工程重大专项、国家重点研究计划等国家、省部级项目共计12项，多个项目的实施对发展新材料上下游产业链延伸有着重要的带动作用。

“为了满足国内外高科技的需求，我们将向晶片的大直径方向攻坚，将锗晶片、砷化镓晶片和磷化铟晶片向更大尺寸发展，将继续向超薄晶片、提高晶片合格率等方向攻关，不断降低成本、提高产业化程度，打造中国光电半导体材料的航母集群。”云南锗业董事长包文东表示。“十四五”期间，云南锗业将依托云南稀有金属资源优势，利用企业在A股资本市场的优势和领先的新材料产业技术优势，着力打造国家级光电半导体材料产业研发和生产基地，重点开发国外垄断的专用高端新材料系列产品，把云南锗业建成国家级光电半导体材料产业研发和生产基地，努力成为国家光电半导体新材料龙头企业，加快做精做强做大云南省国家新材料产业集群。

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